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电子及电机工程
正确的文章链接:
Mustafaev G.A., Mustafaev A.G., Cherkesova N.V.
铝金属化集成电路的可靠性
// 电子及电机工程.
2017. № 3.
С. 1-6.
DOI: 10.7256/2453-8884.2017.3.23345 URL: https://cn.nbpublish.com/library_read_article.php?id=23345
铝金属化集成电路的可靠性
DOI: 10.7256/2453-8884.2017.3.23345评审日期 16-06-2017出版日期 26-11-2017注解: 铝及其合金是集成电路的主要金属化材料，随着向超大型集成电路的过渡，对决定其可靠性的金属化参数的要求，如接触电阻、台阶涂层的质量、应力引起的空隙的数量和大小以及抗电迁移等，正在收紧。 金属化质量差是集成电路的半导体技术中最危险的缺陷之一。 当高密度电流通过金属化时，电迁移会导致故障。 进行实验以测试与评估由于电迁移引起的金属化电阻变化的强度有关的材料。 实验结果表明，几何因素在电迁移导致集成电路金属化的破坏机制中起主导作用。 考虑到所进行的研究的结果，给出了铝金属化在超大型集成电路技术中的成功应用的某些建议，包括从溅射技术到气相沉积的过渡。 出版日期: , , , , , , , , , |
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