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电子及电机工程

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Mustafaev G.A., Mustafaev A.G., Cherkesova N.V. 铝金属化集成电路的可靠性 // 电子及电机工程. 2017. № 3. С. 1-6. DOI: 10.7256/2453-8884.2017.3.23345 URL: https://cn.nbpublish.com/library_read_article.php?id=23345

铝金属化集成电路的可靠性

Mustafaev Gasan Abakarovich

博士技术科学

卡巴迪诺-巴尔卡尔州立大学教授

360004, Russia, respublika Kabardino-Balkarskaya, g. Nal'chik, ul. Chernyshevskogo, 173, kab. 122

arslan_mustafaev@hotmail.com

Mustafaev Arslan Gasanovich

博士技术科学

达吉斯坦国立国民经济大学教授

367015, Russia, respublika Dagestan, g. Makhachkala, ul. Ataeva, 5, kab. 4.5

arslan_mustafaev@hotmail.com

Cherkesova Natal'ya Vasil'evna

博士学位技术科学

360004, Russia, the Kabardino-Balkar Republic, Nalchik, ul. Chernyshevskogo, 173, of. 122

natasha07_2002@mail.ru

DOI:

10.7256/2453-8884.2017.3.23345

评审日期

16-06-2017

出版日期

26-11-2017

注解: 铝及其合金是集成电路的主要金属化材料，随着向超大型集成电路的过渡，对决定其可靠性的金属化参数的要求，如接触电阻、台阶涂层的质量、应力引起的空隙的数量和大小以及抗电迁移等，正在收紧。金属化质量差是集成电路的半导体技术中最危险的缺陷之一。当高密度电流通过金属化时，电迁移会导致故障。进行实验以测试与评估由于电迁移引起的金属化电阻变化的强度有关的材料。实验结果表明，几何因素在电迁移导致集成电路金属化的破坏机制中起主导作用。考虑到所进行的研究的结果，给出了铝金属化在超大型集成电路技术中的成功应用的某些建议，包括从溅射技术到气相沉积的过渡。

出版日期:

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杂志

铝金属化集成电路的可靠性