改进的Frank-Lobb算法的并行实现研究具有键分离的缺陷二维晶格的电导率

注解: 在渗滤理论中，节点和连接的问题[1,2]和渗滤理论的混合问题[3,4]都得到了足够详细的研究。 然而，在许多实验过程中，在具有缺陷的晶格结构上形成水平和垂直键的概率存在变化。 在真实物理模型中，这些过程可以发生，例如，当通过粉碎向倾斜平面施加导电材料时；随着包含带电微颗粒和微颗粒的导体的电介质基质逐渐凝固，并且其 此外，可以预期结构中各种缺陷的存在影响材料的机械性能和电物理性能两者。 不幸的是，由于显着的实验困难，并不总是能够确定缺陷数量和物理参数之间的确切定量关系。 模拟物理参数对具有键各向异性的缺陷数量的依赖性似乎是一个紧迫的科学问题。 这种问题的数量很大，并且在这种问题的数值解的情况下可以具有很大的实际重要性。 这项工作的目的是连接和节点的组合问题的计算机建模，分离形成水平和垂直连接的概率以及将肖特基缺陷引入晶格的可能性。 研究的结果应该是2d方形网格的电导率G的数值，来自概率的值：垂直耦合P1，水平耦合P2和缺陷N。

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