共振-隧道效应的数学建模和数值计算

注解: 本文考虑了纳米电子学的物理效应之一-共振隧穿。 对在TIR结构上形成的二极管结构进行数值计算并对其特性进行建模。 硅上的类似结构具有在掺杂半导体表面附近强耗尽模式下的金属-氧化硅-半导体结构。 构建了TIR结构的区域图，确定了量子阱中以及隧穿过程中电子的能级和波函数，计算了从施加电压的幅度中隧穿的概率。 在计算过程中，使用了数学建模和工程计算的可视化环境PTC Mathcad Prime3.1。 作为计算机建模的结果，在电介质击穿之前确定了限制外部电压。 此外，揭示了tir结构的电流对能垒的高度和宽度的定性类型的依赖性。 开发的模型使我们能够考虑几个因素的综合影响，计算的VAC与实验因素的一致性证实了这一点。