介电基质中金属纳米粒子离子注入过程的建模

Мустафаев Г.А., Панченко В.А., Черкесова Н.В., Мустафаев А.Г.

doi:10.7256/2453-8884.2018.4.28448

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电子及电机工程

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Mustafaev G.A., Panchenko V.A., Cherkesova N.V., Mustafaev A.G. 介电基质中金属纳米粒子离子注入过程的建模 // 电子及电机工程. 2018. № 4. С. 8-15. DOI: 10.7256/2453-8884.2018.4.28448 URL: https://cn.nbpublish.com/library_read_article.php?id=28448

介电基质中金属纳米粒子离子注入过程的建模

Mustafaev Gasan Abakarovich

博士技术科学

卡巴迪诺-巴尔卡尔州立大学教授

360004, Russia, respublika Kabardino-Balkarskaya, g. Nal'chik, ul. Chernyshevskogo, 173, kab. 122

arslan_mustafaev@hotmail.com

Panchenko Valerii Aleksandrovich

博士学位技术科学

360004, Russia, the Kabardino-Balkar Republic, Nalchik, ul. Chernyshevskogo, 173, of. 122

Panchenko@mail.cos

Cherkesova Natal'ya Vasil'evna

博士学位技术科学

360004, Russia, the Kabardino-Balkar Republic, Nalchik, ul. Chernyshevskogo, 173, of. 122

natasha07_2002@mail.ru

Mustafaev Arslan Gasanovich

博士技术科学

达吉斯坦国立国民经济大学教授

367015, Russia, respublika Dagestan, g. Makhachkala, ul. Ataeva, 5, kab. 4.5

arslan_mustafaev@hotmail.com

DOI:

10.7256/2453-8884.2018.4.28448

评审日期

19-12-2018

出版日期

02-02-2019

注解: 离子注入的最大成功已经在半导体器件和集成电路的平面技术领域中实现。用于创建具有纳米颗粒元件的器件的技术，包括介电基质中的金属纳米颗粒，已经得到了很大的发展。这项工作的目的是模拟在二氧化硅基质中由金纳米颗粒组成的结构的离子注入过程，并计算合金离子的分布，基质和纳米颗粒的位移离子的级联，以及从纳米颗粒反射的离子的分布。植入条件取决于结构表面上的投影点在纳米颗粒从中心到周边的水平半径上的位置而变化。已经编制了位于二氧化硅基质中的金纳米颗粒离子注入过程的物理模型。用硼和砷离子对结构进行离子掺杂的过程进行了模拟，得到了合金离子、反冲原子、反射离子和雾化离子的分布图，这些分布图取决于纳米粒子中心的坐标。

出版日期:

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介电基质中金属纳米粒子离子注入过程的建模