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电子及电机工程

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Mustafaev A.G., Mustafaev G.A., Cherkesova N.V. CMOS VLSI对"捕捉"效应的稳定性研究 // 电子及电机工程. 2018. № 4. С. 1-7. DOI: 10.7256/2453-8884.2018.4.28130 URL: https://cn.nbpublish.com/library_read_article.php?id=28130

CMOS VLSI对"捕捉"效应的稳定性研究

Mustafaev Arslan Gasanovich

博士技术科学

达吉斯坦国立国民经济大学教授

367015, Russia, respublika Dagestan, g. Makhachkala, ul. Ataeva, 5, kab. 4.5

arslan_mustafaev@hotmail.com

Mustafaev Gasan Abakarovich

博士技术科学

Kabardino-Balkarian州立大学教授

360004, Russia, the Kabardino-Balkar Republic, Nalchik, ul. Chernyshevskogo, 173, of. 122

zoone@mail.ru

Cherkesova Natal'ya Vasil'evna

博士学位技术科学

360004, Russia, the Kabardino-Balkar Republic, Nalchik, ul. Chernyshevskogo, 173, of. 122

natasha07_2002@mail.ru

DOI:

10.7256/2453-8884.2018.4.28130

评审日期

25-11-2018

出版日期

02-02-2019

注解: 由于低功耗，CMOS结构对于创建大型和超大型集成电路是优选的。然而，电路的可靠性在很大程度上受到CMOS结构中发生的锁存现象的限制。 CMOS集成电路中闩锁现象的电学特性的特征在于存在若干异常现象。这些影响扭曲并使测量电路对锁存器的电灵敏度的结果模糊不清。
微电子的发展正在稳步努力缩小集成电路元件的尺寸，特别是晶体管。减小集成电路的尺寸导致Mosfet中短沟道效应的增加。当减小整体元件的尺寸时，考虑了具有金属-氧化物-半导体结构的缩放器件的各种选择。作为防止卡合的方法，提出了使用肖特基势垒二极管或特殊多晶硅二极管代替衬底和口袋的欧姆接触；使用具有深沟槽的绝缘的高合金化衬底。引起闭锁的出现的机制不依赖于口袋的半导体区域的导电类型。

出版日期:

晶体管, 晶体管, 捕捉,捕捉, 捕捉,捕捉, 拖把, 拖把, 结垢;结垢, 结垢;结垢, 超大规模集成电路, 超大规模集成电路, 短通道效应, 短通道效应, 半导体,半导体, 半导体,半导体, 纳米电子学, 纳米电子学, 拒绝, 拒绝, 建模, 建模

杂志

CMOS VLSI对"捕捉"效应的稳定性研究