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电子及电机工程
正确的文章链接:
Mustafaev A.G., Mustafaev G.A., Cherkesova N.V.
电离辐射对cni结构隐氧化物性质的影响
// 电子及电机工程.
2018. № 3.
С. 1-8.
DOI: 10.7256/2453-8884.2018.3.27423 URL: https://cn.nbpublish.com/library_read_article.php?id=27423
电离辐射对cni结构隐氧化物性质的影响
DOI: 10.7256/2453-8884.2018.3.27423评审日期 16-09-2018出版日期 10-11-2018注解: 半导体异质结构是现代晶体管，量子电子器件，微波技术，通信系统，电信，计算机系统和照明电子设备设计的基础。 本文描述了形成具有所需的一组结构和电物理参数的抗辐射异质结构的过程，考虑到电离辐射的影响，允许扩大其应用范围并增加电子设备的可靠性。 已经研究了照射对根据各种设计和技术选项制造的异质半导体结构的参数的影响。 研究进行了，除其他事项外，使用平区张力的方法和松弛时间的确定。 结果表明，随着电离粒子剂量的增加，电介质中的电荷密度增加，在108-109rad的剂量下达到饱和，多层电介质系统中内置电荷和机械应力的值由于在电介质界面形成中间电荷和电介质之间存在势垒而降低。 出版日期: 绝缘体上的硅, 异质结构, 电离辐射, 氧化硅, 氮化硅, 薄膜;薄膜, 半导体,半导体, 抗辐射性, 收费, 分区边界 |
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