电迁移引起的集成电路互连故障

Мустафаев Г.А., Черкесова Н.В., Мустафаев А.Г.

doi:10.7256/2453-8884.2017.4.24868

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电子及电机工程

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Mustafaev G.A., Cherkesova N.V., Mustafaev A.G. 电迁移引起的集成电路互连故障 // 电子及电机工程. 2017. № 4. С. 1-5. DOI: 10.7256/2453-8884.2017.4.24868 URL: https://cn.nbpublish.com/library_read_article.php?id=24868

电迁移引起的集成电路互连故障

Mustafaev Gasan Abakarovich

博士技术科学

卡巴迪诺-巴尔卡尔州立大学教授

360004, Russia, respublika Kabardino-Balkarskaya, g. Nal'chik, ul. Chernyshevskogo, 173, kab. 122

arslan_mustafaev@hotmail.com

Cherkesova Natal'ya Vasil'evna

博士学位技术科学

360004, Russia, the Kabardino-Balkar Republic, Nalchik, ul. Chernyshevskogo, 173, of. 122

natasha07_2002@mail.ru

Mustafaev Arslan Gasanovich

博士技术科学

达吉斯坦国立国民经济大学教授

367015, Russia, respublika Dagestan, g. Makhachkala, ul. Ataeva, 5, kab. 4.5

arslan_mustafaev@hotmail.com

DOI:

10.7256/2453-8884.2017.4.24868

评审日期

29-11-2017

出版日期

15-02-2018

注解: 铝及其合金是主要的金属化材料。随着集成度的增加，互连的作用增加：它们占据晶体的面积增加，填料密度增加，这导致导电路径的厚度和宽度减小。在50-100mA的电流下发生足以在纳米级结构中发展电迁移效应的电流密度值。
研究了电迁移对集成电路金属化破坏机理的影响因素。使用扫描扫描和透射电子显微镜通过电迁移在其破坏的不同阶段研究了金属化线。一般而言，与铝金属化的高温应用相关的主要问题是大的晶粒尺寸和表面粗糙度，这使得难以结合在这样的金属层上。实验结果有理由得出结论，几何因素在电迁移导致的集成电路金属化破坏机制中起主导作用。

出版日期:

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电迁移引起的集成电路互连故障