技术因素对蓝宝石硅结构缺陷的影响

Мустафаев Г.А., Панченко В.А., Черкесова Н.В., Мустафаев А.Г.

doi:10.7256/2453-8884.2017.1.22388

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电子及电机工程

正确的文章链接:

Mustafaev G.A., Panchenko V.A., Cherkesova N.V., Mustafaev A.G. 技术因素对蓝宝石硅结构缺陷的影响 // 电子及电机工程. 2017. № 1. С. 7-15. DOI: 10.7256/2453-8884.2017.1.22388 URL: https://cn.nbpublish.com/library_read_article.php?id=22388

技术因素对蓝宝石硅结构缺陷的影响

Mustafaev Gasan Abakarovich

博士技术科学

Kabardino-Balkarian州立大学教授

360004, Russia, the Kabardino-Balkar Republic, Nalchik, ul. Chernyshevskogo, 173, of. 122

zoone@mail.ru

Panchenko Valerii Aleksandrovich

博士学位技术科学

360004, Russia, the Kabardino-Balkar Republic, Nalchik, ul. Chernyshevskogo, 173, of. 122

Panchenko@mail.cos

Cherkesova Natal'ya Vasil'evna

博士学位技术科学

360004, Russia, the Kabardino-Balkar Republic, Nalchik, ul. Chernyshevskogo, 173, of. 122

natasha07_2002@mail.ru

Mustafaev Arslan Gasanovich

博士技术科学

达吉斯坦国立国民经济大学教授

367015, Russia, respublika Dagestan, g. Makhachkala, ul. Ataeva, 5, kab. 4.5

arslan_mustafaev@hotmail.com

DOI:

10.7256/2453-8884.2017.1.22388

评审日期

22-03-2017

出版日期

08-04-2017

注解: 蓝宝石上的硅结构是生产抗辐射集成电路的基础，这对航天工业、核能和军事应用非常重要。对蓝宝石上硅的异质结机理进行了研究，用于随后创建具有低缺陷的晶体管结构。采用卢瑟福背散射法研究了在蓝宝石衬底上生长的外延硅层. 使用俄歇分析，确定硅-蓝宝石过渡层的组成和深度。确定硅和蓝宝石之间的键合是通过四面体配位氧进行的。在外延层中，在对应于硅层和蓝宝石衬底之间的中间区域的那些光谱区域中存在缺陷的增加，并且给出对离子窜流的最大贡献。考虑到硅-蓝宝石结的结构的无序性使得可以在硅-蓝宝石结构中的边界处的电荷与场效应晶体管的漏电流之间建立因果关系。已经开发了一种用于创建在漏电流和结构缺陷密度方面都具有改进的参数的半导体器件的方法。

出版日期:

蓝宝石上的硅, 蓝宝石上的硅, 背景资料, 背景资料, 漏电流, 漏电流, 晶格;晶格, 晶格;晶格, 缺陷密度, 缺陷密度, 机械应力, 机械应力, 离子实现, 离子实现, 鹿heteroepitaxy, 鹿heteroepitaxy, 螺旋分析, 螺旋分析, 反向散射, 反向散射

杂志

技术因素对蓝宝石硅结构缺陷的影响