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Мустафаев Г.А., Мустафаев А.Г..
Влияние воздействия ионизирующих излучений и горячих электронов на МОП структуры
// 电子及电机工程.
2019. № 1.
和。 1-5.
DOI: 10.7256/2453-8884.2019.1.30371 URL: https://cn.nbpublish.com/library_read_article.php?id=30371
注释,注释:
研究了在热电子和电离辐射的影响下，皮下氧化物氮化的金属氧化物半导体Mosfet的降解。 研究了导致MOS结构退化和氮化影响不同的两个因素。 获得了在不同温度和渗氮持续时间和不渗氮的情况下对具有热渗氮的MOSFET结构进行电离辐照的结果。 结果表明，氮化操作的温度和持续时间降低了电压变化的幅度。 观察到的电压变化可能是电子阱效应增加的结果，或空穴阱效应降低的结果。 辐射照射和热电子影响下器件特性的退化显着取决于热氮化的温度和持续时间。 辐射暴露的危险随着氮化程度的增加而不断降低，在热电子作用下降解的危险随着氮化程度的增加而降低，但随着氮化程度的进一步增加也增加。
关键词:
半导体器件, 半导体器件, 超大规模集成电路技术, 超大规模集成电路技术, 拖把, 拖把, 氮化;氮化, 氮化;氮化, 二氧化硅, 二氧化硅, 热处理, 热处理, 降解, 降解, 热电子, 热电子, 抗辐射性, 抗辐射性, 氧化硅, 氧化硅
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Мустафаев А.Г., Мустафаев Г.А., Черкесова Н.В..
Исследование устойчивости КМОП СБИС к эффекту «защелкивания»
// 电子及电机工程.
2018. № 4.
和。 1-7.
DOI: 10.7256/2453-8884.2018.4.28130 URL: https://cn.nbpublish.com/library_read_article.php?id=28130
注释,注释:
由于低功耗，CMOS结构对于创建大型和超大型集成电路是优选的。 然而，电路的可靠性在很大程度上受到CMOS结构中发生的锁存现象的限制。 CMOS集成电路中闩锁现象的电学特性的特征在于存在若干异常现象。 这些影响扭曲并使测量电路对锁存器的电灵敏度的结果模糊不清。 微电子的发展正在稳步努力缩小集成电路元件的尺寸，特别是晶体管。 减小集成电路的尺寸导致Mosfet中短沟道效应的增加。 当减小整体元件的尺寸时，考虑了具有金属-氧化物-半导体结构的缩放器件的各种选择。 作为防止卡合的方法，提出了使用肖特基势垒二极管或特殊多晶硅二极管代替衬底和口袋的欧姆接触；使用具有深沟槽的绝缘的高合金化衬底。 引起闭锁的出现的机制不依赖于口袋的半导体区域的导电类型。
关键词:
晶体管, 晶体管, 捕捉,捕捉, 捕捉,捕捉, 拖把, 拖把, 结垢;结垢, 结垢;结垢, 超大规模集成电路, 超大规模集成电路, 短通道效应, 短通道效应, 半导体,半导体, 半导体,半导体, 纳米电子学, 纳米电子学, 拒绝, 拒绝, 建模, 建模
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Мустафаев Г.А., Панченко В.А., Черкесова Н.В., Мустафаев А.Г..
Моделирование процесса ионной имплантации металлической наночастицы в диэлектрической матрице
// 电子及电机工程.
2018. № 4.
和。 8-15.
DOI: 10.7256/2453-8884.2018.4.28448 URL: https://cn.nbpublish.com/library_read_article.php?id=28448
注释,注释:
离子注入的最大成功已经在半导体器件和集成电路的平面技术领域中实现。 用于创建具有纳米颗粒元件的器件的技术，包括介电基质中的金属纳米颗粒，已经得到了很大的发展。这项工作的目的是模拟在二氧化硅基质中由金纳米颗粒组成的结构的离子注入过程，并计算合金离子的分布，基质和纳米颗粒的位移离子的级联，以及从纳米颗粒反射的离子的分布。 植入条件取决于结构表面上的投影点在纳米颗粒从中心到周边的水平半径上的位置而变化。 已经编制了位于二氧化硅基质中的金纳米颗粒离子注入过程的物理模型。 用硼和砷离子对结构进行离子掺杂的过程进行了模拟，得到了合金离子、反冲原子、反射离子和雾化离子的分布图，这些分布图取决于纳米粒子中心的坐标。
关键词:
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Мустафаев А.Г., Мустафаев Г.А., Черкесова Н.В..
Влияние ионизирующего излучения на свойства скрытых оксидов КНИ-структур
// 电子及电机工程.
2018. № 3.
和。 1-8.
DOI: 10.7256/2453-8884.2018.3.27423 URL: https://cn.nbpublish.com/library_read_article.php?id=27423
注释,注释:
半导体异质结构是现代晶体管，量子电子器件，微波技术，通信系统，电信，计算机系统和照明电子设备设计的基础。 本文描述了形成具有所需的一组结构和电物理参数的抗辐射异质结构的过程，考虑到电离辐射的影响，允许扩大其应用范围并增加电子设备的可靠性。 已经研究了照射对根据各种设计和技术选项制造的异质半导体结构的参数的影响。 研究进行了，除其他事项外，使用平区张力的方法和松弛时间的确定。 结果表明，随着电离粒子剂量的增加，电介质中的电荷密度增加，在108-109rad的剂量下达到饱和，多层电介质系统中内置电荷和机械应力的值由于在电介质界面形成中间电荷和电介质之间存在势垒而降低。
关键词:
绝缘体上的硅, 异质结构, 电离辐射, 氧化硅, 氮化硅, 薄膜;薄膜, 半导体,半导体, 抗辐射性, 收费, 分区边界
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Белозеров В.В..
Метод экспресс-анализа жидких фасованных продуктов
// 电子及电机工程.
2018. № 2.
和。 1-31.
DOI: 10.7256/2453-8884.2018.2.25998 URL: https://cn.nbpublish.com/library_read_article.php?id=25998
注释,注释:
考虑到2017年4月17日国务院主席团会议专门讨论消费者保护问题（关于"国家消费者保护制度"问题），以及科学界积极引用和辩论2016年第一期共同作者的文章，编辑委员会决定出版作者的初步着作，因为正是在她身上找到了一个可以构成国家制度技术基础的解决方案。 在文章中扩展了参考书目，这使得可以在不打开容器的情况下验证液体包装产品快速控制方法的成功适应。本文介绍了一种快速的重量电动法和与"标准图像"进行比较分析的方法，用于质量识别和检测假冒产品。研究的对象是嘉实多Magnatec发动机油的标准和假冒产品的样品，以登记其电气和机械特性，以及包装的参数和设计。 研究结果表明，所提出的方法及其实施手段可以提供绝对的消费者保护，免受低质量和假冒液体包装产品的影响。
关键词:
动态粘度, 运动粘度, 密度, 产品质量, 比较分析, 材料的电学, 快速方法, 介电常数, immitance米, 电容式传感器
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Голубов А.И..
Метод термоаналитического определения основных характеристик горючих жидкостей
// 电子及电机工程.
2018. № 1.
和。 1-7.
DOI: 10.7256/2453-8884.2018.1.25845 URL: https://cn.nbpublish.com/library_read_article.php?id=25845
注释,注释:
文章描述了通过确定动态和运动粘度来统一诊断和控制液体的方法，这是易燃和可燃液体（LVL和GJ）的主要特征。 提出了热声棒波导上的热电膨胀计坩埚的"浮子设计"，由于开发的物理和数学模型，它"变成"粘度计。基本事实是，LVH和GJ的运动粘度和动态粘度都被定义为在负温度和正温度范围内，直到自燃温度。 建议的方法可以在新版GOST12.1.044"物质和材料的火灾和爆炸危险"中应用。 这项研究的新颖之处在于在Β分析仪中为热电压表坩埚开发了一个粘度计功能,在该功能的帮助下,LVJ和GJ的运动和动态粘度在负温度范围和正温度范围内确定,直至它们的自燃温度。
关键词:
热分析法, 运动粘度, 动态粘度, 高度易燃液体, 易燃液体, 坩埚,坩埚, 热电膨胀计, 热声棒波导, BETA分析仪, 粘度计
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Мустафаев Г.А., Черкесова Н.В., Мустафаев А.Г..
Отказы в межсоединениях интегральных схем вызванные электромиграцией
// 电子及电机工程.
2017. № 4.
和。 1-5.
DOI: 10.7256/2453-8884.2017.4.24868 URL: https://cn.nbpublish.com/library_read_article.php?id=24868
注释,注释:
铝及其合金是主要的金属化材料。 随着集成度的增加，互连的作用增加：它们占据晶体的面积增加，填料密度增加，这导致导电路径的厚度和宽度减小。 在50-100mA的电流下发生足以在纳米级结构中发展电迁移效应的电流密度值。 研究了电迁移对集成电路金属化破坏机理的影响因素。 使用扫描扫描和透射电子显微镜通过电迁移在其破坏的不同阶段研究了金属化线。 一般而言，与铝金属化的高温应用相关的主要问题是大的晶粒尺寸和表面粗糙度，这使得难以结合在这样的金属层上。 实验结果有理由得出结论，几何因素在电迁移导致的集成电路金属化破坏机制中起主导作用。
关键词:
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Мустафаев Г.А., Мустафаев А.Г., Черкесова Н.В..
Надежность интегральных микросхем с алюминиевой металлизацией
// 电子及电机工程.
2017. № 3.
和。 1-6.
DOI: 10.7256/2453-8884.2017.3.23345 URL: https://cn.nbpublish.com/library_read_article.php?id=23345
注释,注释:
铝及其合金是集成电路的主要金属化材料，随着向超大型集成电路的过渡，对决定其可靠性的金属化参数的要求，如接触电阻、台阶涂层的质量、应力引起的空隙的数量和大小以及抗电迁移等，正在收紧。 金属化质量差是集成电路的半导体技术中最危险的缺陷之一。 当高密度电流通过金属化时，电迁移会导致故障。 进行实验以测试与评估由于电迁移引起的金属化电阻变化的强度有关的材料。 实验结果表明，几何因素在电迁移导致集成电路金属化的破坏机制中起主导作用。 考虑到所进行的研究的结果，给出了铝金属化在超大型集成电路技术中的成功应用的某些建议，包括从溅射技术到气相沉积的过渡。
关键词:
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Апарцев О.Р..
Термоэлектрические кулеры и тепловые процессы в терминах SPICE-моделирования
// 电子及电机工程.
2017. № 2.
和。 1-12.
DOI: 10.7256/2453-8884.2017.2.21379 URL: https://cn.nbpublish.com/library_read_article.php?id=21379
注释,注释:
该研究的主题是适应类似SPICE的程序，以Peltier热元件为例，同时模拟电路和热过程。 尽管这种物理对象的明显简单，但实践表明，该装置的控制需要执行复杂的算法，即热电模块的电流，作为唯一直接控制的参数，设置了影响整个装置操作的复杂功能，这表现在工程问题的联合解决方案中，以提高热稳定和能源效率的质量。 最近，电子设备的开发越来越多地使用计算机模拟程序进行，但是这种软件工具包向复杂物理性质的工程对象的传播尚未发生。 本文试图将电子仿真的方法与非电性物体的考虑相结合，即提出了基于珀尔帖效应的热电转换器的计算机模型。 仿真模型的热部分是利用静电类比原理，将热量转换为电量分析。 在这种情况下，设备的热部分被划分为类似于电气元件的元件-具有热回路的构造。 所提出的热电冷却器和恒温器的SPICE模型允许对包含热和冷的内部和边界源的各种设备的热和电参数进行有效的动态分析，包括使用各种物理原理的热泵。 获得了仿真结果与实验数据的良好吻合，这允许使用开发的模型进行逆问题-基于塞贝克效应的电动发电机分析。
关键词:
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Мустафаев Г.А., Панченко В.А., Черкесова Н.В., Мустафаев А.Г..
Влияние технологических факторов на дефектность структур кремний на сапфире
// 电子及电机工程.
2017. № 1.
和。 7-15.
DOI: 10.7256/2453-8884.2017.1.22388 URL: https://cn.nbpublish.com/library_read_article.php?id=22388
注释,注释:
蓝宝石上的硅结构是生产抗辐射集成电路的基础，这对航天工业、核能和军事应用非常重要。 对蓝宝石上硅的异质结机理进行了研究，用于随后创建具有低缺陷的晶体管结构。 采用卢瑟福背散射法研究了在蓝宝石衬底上生长的外延硅层. 使用俄歇分析，确定硅-蓝宝石过渡层的组成和深度。 确定硅和蓝宝石之间的键合是通过四面体配位氧进行的。 在外延层中，在对应于硅层和蓝宝石衬底之间的中间区域的那些光谱区域中存在缺陷的增加，并且给出对离子窜流的最大贡献。 考虑到硅-蓝宝石结的结构的无序性使得可以在硅-蓝宝石结构中的边界处的电荷与场效应晶体管的漏电流之间建立因果关系。 已经开发了一种用于创建在漏电流和结构缺陷密度方面都具有改进的参数的半导体器件的方法。
关键词:
蓝宝石上的硅, 蓝宝石上的硅, 背景资料, 背景资料, 漏电流, 漏电流, 晶格;晶格, 晶格;晶格, 缺陷密度, 缺陷密度, 机械应力, 机械应力, 离子实现, 离子实现, 鹿heteroepitaxy, 鹿heteroepitaxy, 螺旋分析, 螺旋分析, 反向散射, 反向散射
文章的正确链接:
Заворотнев Ю.Д..
Разработка БЭТА метода испытаний и диагностики жидких, вязких и твердых материалов, в т.ч. с огнезащитными покрытиями (проект 2012-220-03-247)
// 电子及电机工程.
2016. № 2.
和。 96-118.
DOI: 10.7256/2453-8884.2016.2.20954 URL: https://cn.nbpublish.com/library_read_article.php?id=20954
注释,注释:
自2010以来，俄罗斯联邦政府在"领先的外国科学家"的领导下组织了一场资助研究工作的竞赛，其目标除了实现世界级的研究成果外，还在大学创建"世界 已经在2010中，"220决议"的实施几乎窒息，因为512项目参加了比赛，并且"有足够的钱"只有40获奖者。 与此同时，莫斯科有15"获奖者"，圣彼得堡有6，下诺夫哥罗德有4，新西伯利亚和托木斯克有3。 在2011中，"历史重演"：517项目参加了比赛，39有足够的资金，其中14项目在莫斯科"获胜"，5在圣彼得堡，3在诺夫哥罗德和新西伯利亚，1在托木斯克。 在2012年，几乎一个半倍更多来到了比赛有719个项目，并有足够的资金为42名获奖者，其中再次莫斯科（15），圣彼得堡（5），下诺夫哥罗德和托木斯克2每个， 很自然地，问题出现了：大约1500个不支持的项目去了哪里？ 他们真的"不值得"政府资助吗？ 本文介绍了2012年第2012-220-03-247号竞赛的项目，其中在Zavjrotnev Yu博士的领导下。D.来自乌克兰国家科学院顿涅茨克物理和技术研究所，有人提议创建一个baro-电热声（BETA）分析仪，该分析仪没有世界类似物，并且在今天的功能上超过所有现有的分析仪，同步热分析（CTA）装置，以及在顿国立技术大学的基础上建立一个部门间实验室。
关键词:
相变, 材料老化, 液体介质, 声发射, 同步热分析, 材料的电学, vector-生命周期的函数, 相似度标准, baro-电-热-声分析, 物质的磁性能
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Босый С.И., Буйло С.И..
О синхронизации термического анализа с акустической эмиссией и электрометрией
// 电子及电机工程.
2016. № 1.
和。 1-20.
DOI: 10.7256/2453-8884.2016.1.21026 URL: https://cn.nbpublish.com/library_read_article.php?id=21026
注释,注释:
作者考虑了热分析方法和手段与声发射和电学方法和手段的同步方法。 结果表明，由于提出的整合，首先可以获得所研究的物质或材料生命周期的多参数矢量函数，其次可以计算其"老化"的参数，因为与现有装置不同，建议使用 属性，类似于操作的过程。 提出的将热分析方法和手段与声发射（AE）和电学方法和手段相结合的方法"产生"了一种新方法-热力学。 所提出的方法的新颖性受到俄罗斯联邦的两项发明专利的保护。 与此同时，实现这些方法同步的主要解决方案是在热声棒波导（TASHV）上计算和创建热电膨胀计（TED）坩埚，这使得可以从高温和压力区域移除敏感的AE传感器。
关键词:
热重法, 热重法, 扩张术,扩张术, 扩张术,扩张术, 介电分析, 介电分析, 动态力学分析, 动态力学分析, 声发射, 声发射, 巴罗-热循环, 巴罗-热循环, 材料老化, 材料老化, 缺陷形成, 缺陷形成, 毁灭, 毁灭, 热解,热解, 热解,热解
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